Оперативная память. Выбор. Решение проблем. Аспекты работы в x86 ОС

[Pashtet]

а может кто знает, куда делась с прилавков Crucial Ballistix?

на их сайте можно сделать заказ, но

Crucial does not ship to:
 Afghanistan, Cambodia, China, Cuba, Ecuador, Egypt, El Salvador, Haiti, Honduras, Indonesia, Iran, Iraq, Jordan, Kuwait, Laos, Libya, Nigeria, North Korea, Pakistan, Panama, Peru, Qatar, Russia, Saudi Arabia, Sudan, Syria, Uganda, Ukraine, Venezuela, Yemen.

забавно, наряду с кем поставили Россию и Украину )

[OLEGA]

а может кто знает, куда делась с прилавков Crucial Ballistix?

Х.з., проще на форуме Юлмарта спросить, а так и Я-маркет в нормальных магазинах ничего не показывает.

[Bahan]

Вопрос к знатокам AMD AM3.
Каким образом у меня работает память на 800 (1600) если производителем процессора заявлена частота DDR3-800/1066/1333.
Контроллер памяти что-ли на плате более совершенный ?
Особо не придавал этому значения но после установки принудительно 800 мгц в БИОС перестало тормозить 4K видео. Пропускная способность памяти по Sandra стала 9.4 Гбит.

[Bahan]

Получил на свой вопрос только один ответ:

[Bahan]

Ну хочешь назови ее 1333- это мало что меняет, т.к. она работает от 1333 до 2400

Тогда надо было эту брать. Цена таже.  
Консультант в Юлмарте меня запутал: у меня стоит вот это - возьмите.

Ну в общем да - это клок 9 при 1,5 в, а та 10. Только вот не известно работает ли без проблем на 1600.

Но ведь у моей старой клок тоже 9, правда 1600 я не выставлял. Значит при пониженной частоте должно быть ещё лучше клок. Вот ТУТ на неё ругаются, на 1600 не заводится..
В чём тогда прикол более высокой производительности этой моей новой при клоке 11 ?

P.s. Привёл скрин CPU-Z с того форума - производитель наврал: CL9 при 685 Jedec4. Всё теперь понятно.
Хотя на новой параметры на Jedec4 tRAS, tRC лучше. Теперь понятно откуда эффект в 3Д Марках.

[PETR]

Значит при пониженной частоте должно быть ещё лучше клок

Есть минимально возможный клок и он не падает ниже ни при каких частотах. Нету у DDR3 памяти клоков меньше 6, поэтому и смысла в пониженных частотах на DDR3 тоже нет+ падает пропускная способность. Пропускная способность оперативной памяти должна быть в районе пропускной способности шины процессора, иначе память буде резать проц - поэтому и переходят на DDR4. Двухканальный режим памяти делит частоту попалам, трехканальный на 3 и т.д.Но в твоем случае тебе вообще DDR3 не нужна - т.к. у тебя пропускная способность в двухканальном режиме меньше 10к - а это значит что даже одноканальная планка 1333 полностью перекрывает шину твоего процессора, т.е. с таким процем нужна DDR 2 600-700 в двухканальном с минимальными таймами, а не DDR 3 1600 с клок 9.

[Bahan]

PETR: Действительно, разницы нет.
DDR2 2x4 гига это какие-то бешеные деньги да и не факт ещё что материнка поддерживает такие модули.
Ещё дешевле стало, 3750р, CL8. Я зол. 

[PETR]

2Bahan: Ну если матплата только с DDR3 то лучший вариант - 1333 клок 6, либо 1600 клок 7, например для моего процессора такая память ущербна - т.к. там пропускная способность в районе 35, делим попалам и получаем PC 17000-18000 - т.е. только DDR3 2400 сможет как-то перекрыть шину 4790К, а для 6700 это число в районе 45 - т.е. PC22000-24000. Тут все легко посчитать - лучшей будет DDR2 1066 клок 4, это тоже самое что DDR3 1600 клок 6, но время выборки в 2 раза ниже. Видеокарта только вот с памятью работает в разы быстрее любого процессора и медленная память ее будет тормозить. Еще проблема частота шины процессора и соотношение DRAM:FSB - чем меньше пересчета частоты, тем меньше задержки - соответственно числа пересчета должны быть целыми, а в делителе стоять единица.
Допустим у меня процессор 4,4Ггц (44*100) я поднял частоту памяти с 1866 до 2200 без поднятия напряжения на память, а тайминги с 10-11-10-30 до 12-13-12-35, при этом как бы кажется что это ухудшение, но на деле задержки упали с 57 ns до 51ns - это больше 10 процентов выигрыша, не смотря на рост частоты и таймингов и то что у меня стоят 4 модуля по 8 Гб. Пересчет частоты стал 11 к 1
Еще счас немного снизил таймы до 11-12-11-33 при 2200, без поднятия напруги, снизив задержки до 49ns - считай почти 20% выигрыша по задержкам и 40% по пропускной способности, по сравнению с автоматической настройкой.

[Bahan]

2Bahan: Ну если матплата только с DDR3

И DDR2 тоже слоты есть, стоял на ней гиг (2x512). 4 (2x2) поставить можно но не нужно.

[PETR]

2Bahan: Ну если матплата только с DDR3

И DDR2 тоже слоты есть, стоял на ней гиг (2x512). 4 (2x2) поставить можно но не нужно.

Самые глючные матплаты, это те  где есть 2 типа памяти.

[Bahan]

2Bahan: Ну если матплата только с DDR3

И DDR2 тоже слоты есть, стоял на ней гиг (2x512). 4 (2x2) поставить можно но не нужно.

Самые глючные матплаты, это те  где есть 2 типа памяти.

Ещё чего нибудь придумай...
Как часы с 2012-го года.

[OLEGA]

Samsung запускает массовое производство первой в индустрии DRAM-памяти 10-нм

Samsung Electronics объявила о серийном производстве первых в индустрии 8-гигабитных (Гб) чипов DDR4 (double-data-rate-4) памяти 10-нанометрового (нм) класса и предназначенных для них модулей.
DDR4 быстро становится наиболее популярным типом памяти, предназначенным для персональных компьютеров и IT-сетей во всём мире. Последние достижения компании Samsung помогут ускорить переход всей индустрии к использованию передовых DDR4-продуктов.
Samsung первой в индустрии удалось открыть доступ к "оперативной DRAM-памяти 10нм класса" после решения технических проблем в области DRAM-масштабирования. Преодолеть их получилось благодаря применению иммерсионной литографии фторида аргона (ArF), в процессе которой не используется EUV (экстремальный ультрафиолет) оборудование. Презентация оперативной DRAM-памяти 10 нм класса компанией Samsung стало ещё одним важным достижением после налаживания серийного производство первых 20нм (нм) 4-гигабитных чипов DDR3 DRAM в 2014 году.

"Новая DRAM-память 10нм класса компании Samsung максимизирует уровень эффективности инвестиций в IT-системы, благодаря чему она станет новым двигателем роста глобальной индустрии продуктов памяти, – говорит Янг-Хьюн Джун, президент отдела Memory Business в Samsung Electronics. – В ближайшем будущем мы также запустим продукты с применением DRAM-памяти 10нм класса нового поколения, которые будут отличаться высокой плотностью. Это позволит производителям мобильных устройств создавать ещё более инновационные продукты, а пользователям - наслаждаться удобством использования". Уровень производительности передового 10нм 8-гигабитного чипа DDR4 DRAM-памяти опережает показатель аналогичного 20нм чипа более чем на 30%. Новое поколение чипов DRAM-памяти поддерживает скорость передачи данных до 3200 мегабит в секунду, что более чем на 30% опережает показатель 20нм чипа DDR4 DRAM-памяти, который составляет 2400 мегабит в секунду. Кроме того, новые модули DRAM-памяти 10нм класса потребляют от 10 до 20% меньше энергии в сравнении с их 20нм аналогами. Это позволит повысить эффективность использования пространства при создании дизайна устройств нового поколения, а также улучшить системы высокопроизводительных вычислений (HPC), другие крупные корпоративные сети и те сети, которые используются персональными компьютерами и основными серверами. Первая в индустрии DRAM-память 10нм класса является результатом интеграции продвинутых дизайна устройств памяти Samsung и технологии производства. Для достижения невероятно высокого уровня масштабирования DRAM-памяти Samsung было необходимо повысить и без того высокий уровень технологических инноваций, которые применялись во время создания чипов DRAM-памяти, выполненных по 20нм техпроцессу. Ключевые технологические усовершенствования включают в себя улучшения дизайна ячейки памяти, QPT (quadruple patterning technology***) литографию, а также осаждение ультра-тонкого диэлектрического слоя. В отличие от NAND флеш-памяти, в которой одна ячейка состоит исключительно из транзистора, каждая ячейка DRAM-памяти требует наличия конструкции из соединённых конденсатора и транзистора, в которой конденсатор зачастую помещается поверх транзистора. В случае с новой DRAM-памятью 10нм класса речь идёт о совершенно другом уровне сложности, поскольку стек образуют очень узкие конденсаторы цилиндрической формы, которые хранят ёмкие электрические заряды и находятся сверху транзисторов шириной в нанометр, что в целом образует более восьми миллиардов ячеек. Samsung успешно создала структуру ячеек 10нм класса благодаря применению собственной технологии проектирования схемы и литографии четырёхкратного структурирования. Благодаря последнему упомянутому виду литографии, который позволяет использовать существующее фотолитографическое оборудование, Samsung удалось создать технологическую основу для разработки следующего поколения DRAM-памяти 10нм класса. Кроме того, использование улучшенной технологии осаждения диэлектрического слоя сказалось на увеличении уровня производительности чипов DRAM-памяти, выполненных по 10нм техпроцессу. Инженеры применили ультратонкие диэлектрические слои с беспрецедентным уровнем равномерности до толщины простого однозначного ангстрем (одна десятимиллиардная часть метра) на конденсаторах ячеек. Как результат - ёмкость, достаточная для большей производительности ячейки. Опираясь на достижения DDR4 DRAM-памяти 10нм класса, Samsung также планирует представить мобильные DRAM-решения 10нм класса с высокой плотностью и скоростью позже в этом году. Это будет способствовать дальнейшему укреплению лидерских позиций Samsung на рынке Ultra-HD смартфонов. Одновременно с представлением широкого спектра модулей DDR4 DRAM-памяти 10нм класса ёмкостью от 4 ГБ для ноутбуков и до 128 ГБ для корпоративных серверов Samsung будет расширять линейку 20нм чипов и портфолио устройств DRAM-памяти 10нм класса на протяжении всего года.